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PSRAM与SRAM、DRAM的区别！

发表时间：2025-05-23 11:22

PSRAM与SRAM、DRAM的区别！

存储类型	SRAM	PSRAM	DRAM
工作原理	基于触发器存储单元-6个品体管	基于电容存储单元=1品体管+1电容	基于电容存储单元=1晶体管+1电容
数据易失性	易失性	易失性	易失性
接口复杂度	简单	简单(类似SRAM)	复杂(需行列地址复用)
读写速度	极快(ns)	较快(10ns-20ns)	较快(几十ns)
容量	较小	中等	较大
功耗	高(静态功耗)	中等，介于SRAM和DRAM之间	较高(频繁刷新)
成本	较高	介于SRAM和DRAM之间	较低
密度	低	高	最高
寿命	无写入次数限制	无写入次数限制	无写入次数限制
制程技术	28nm、14nm、7nm	90nm到40nm	20nm到10nm
应用场景	高速缓存、实时数据处理、CPU寄存器	穿戴设备/IoT模块	手机/PC主内存

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